La V-NAND Gen4 de Samsung produite en volume

L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.