Intel lance son SSD 335 en MLC 20nm

Intel vient d'annoncer son Intel SSD 335, que l'on avait déjà aperçu au japon il y a peu. Décliné dans une unique capacité de 240 Go, il s'agit du premier SSD utilisant de la mémoire Flash NAND MLC IMFT gravée en 20nm. Cette mémoire avait été annoncée en avril 2011 pour une production en volume au cours du second semestre 2011, et il y a donc a priori eu quelques imprévus.

Intel ne donne que peu de précisions sur ce SSD pour le moment. Le contrôleur reste comme sur le 330 un SandForce SF-2281, associé cette fois à de la mémoire IMFT MLC 20nm synchrone. Les performances suivantes sont donc dans le cas de données très compressibles :

- Lecture séquentielle : 500 Mo /s
- Ecriture séquentielle : 450 Mo /s
- Lecture aléatoire 4K QD32 : 42 000 IOPS
- Ecriture aléatoire 4K QD32 : 52 000 IOPS

Le SSD 335 240 Go utilise une interface SATA 6 Gbps, il est garanti 3 ans et Intel annonce une endurance minimale de 20 Go d'écritures par jour sur cette durée. Cette nouvelle génération de mémoire 20nm est censée être aussi endurante que la 25nm, mais moins chère à produire. Toshiba grave de son côté de la mémoire MLC 19nm, utilisée sur le Plextor M5P, alors que Samsung est en 21nm sur les mémoires MLC et TLC respectivement utilisées sur les Samsung 840 Pro et 840.