Comparatif SSD 2012-2013 : 37 SSD SATA 6G 120 et 128 Go

Samsung fait figure d'exception au sein de ce comparatif puisqu'il s'agit du seul constructeur qui peut se targuer, depuis l'abandon des contrôleurs par Intel, de maitriser de A à Z la production d'un SSD, que ce soit au niveau du contrôleur, de la mémoire Flash, de la mémoire cache DRAM mais aussi bien entendu du firmware.

Après le 830, un best-seller, Samsung a lancé il deux nouvelles références, les 840 et 840 Pro, en septembre 2012. A la rentrée 2013 le 840 Pro a été remplacé par un nouveau modèle, le 840 EVO. Attention, contrairement à ce que l'on pourrait penser au premier abord le 840 Pro est le vrai "successeur" du 830.


Tous ces SSD font 7mm d'épaisseur. Si le 830 était décliné en versions 64, 128, 256 et 512 Go, la plus petite capacité est absente des gammes 840 et 840 Pro qui sont respectivement disponibles en 120/250/500 Go et 128/256/512 Go. Le 840 EVO ajoute aux capacités du 840 des versions 750 et 1 Go.


L'espace utilisateur inhabituel fournit par Samsung sur les 840 et 840 EVO est lié à la mémoire utilisée sur ce SSD : de la TLC 21nm ou 19nm annoncée à 1000 cycles d'écritures, soit 3 fois moins que la MLC 21 ou 27nm des 840 Pro et 830. La TLC est moins endurante que la MLC car on stocke 3 bits par cellule Flash ce qui correspond à 8 niveau de tension possible contre 4 en MLC (et 2 en SLC). La programmation de ce niveau de tension est donc plus long ce qui stresse (et use) plus la cellule. L'écriture devant se faire en plusieurs passes, elle est également plus lente.

Attention toutefois à ne pas faire dans l'alarmisme inutile, 1000 cycles sont suffisant pour un usage classique : cela correspond par exemple sur un SSD 128 Go à 5 ans et 10 mois avec 20 Go d'écritures par jour et une amplification en écriture assez élevée de trois (et donc 11 ans et 8 mois sur un 256 Go). Reste que Samsung a toutefois fait preuve de prudence sur le 840 en réservant d'office une partie de la Flash pour l'over-provisionning, ce qui permettra de limiter l'usure de la Flash en limitant par exemple l'amplification d'écriture dans un environnement ne supportant pas le TRIM comme nous l'avons vu précédemment.

Sur le 840 EVO l'espace est utilisé pour contrecarrer l'autre défaut inhérent à la TLC, la relative lenteur d'écriture. TurboWrite permet donc pendant un temps d'améliorer cette vitesse d'écriture en utilisant une partie de cellules TLC en mode SLC comme nous l'expliquons ici. Alors oui, les débits sur une écriture courte (jusqu'à 3 Go d'une traite sur les 120/250 Go, 6 Go sur le 500 Go par exemple) sont plus élevés mais on perd l'over-provisionning du 840 et l'usure de la Flash est augmentée puisque les données écrites dans en mode SLC dans les cellules sont ensuite réécrites en mode TLC dans d'autres. Un choix intéressant pour afficher de gros débits dans les fiches produit, mais est-il vraiment bon pour les utilisateurs ? On peut en douter.

Les Samsung 830, 840, 840 Pro et 840 EVO sont trouvables en version nue mais aussi en kit desktop (adaptateur 3.5", câble SATA, adaptateur Molex vers SATA, Norton Ghost 15) ou Notebook (entretoise pour passer à 9.5mm, câble SATA vers USB, Norton Ghost 15) comme le fait par exemple Kingston.

Ils sont garantis 3 ans (830, 840, 840 EVO) et 5 ans (840 Pro) et livrés avec un utilitaire assez complet qui permet entre autre de lancer un TRIM sur l'espace libre sous Windows XP et Vista, une exception partagée avec l'Intel Toolbox. Il faut noter que le dernier firmware du 840 EVO rend son codage AES 256 bits compatible IEEE1667 et TCG Opal 2.0, ce qui permet l'usage du codage matériel par BitLocker sous Windows 8 via le standard Microsoft eDrive.


Les performances officielles font état de très haut niveau de performances en lectures quelques soit le modèle. En écriture séquentielle c'est comme d'habitude variable en fonction de la capacité mais aussi du modèle puisque le 840 souffre ici de ce côté de la présence de mémoire TLC. En écriture aléatoire par contre les gains sont importants par rapport au 830 et ce même sur le 840 dès lors qu'on s'attaque aux capacités de 250 et 500 Go - le 830 étant semble-t-il bridé par son firmware de ce côté. Le 840 EVO atteint en TurboWrite des débits en écriture notablement plus élevés que sans.




Au sein du Samsung 830 on trouve donc le contrôleur Samsung S4LJ204X01 accompagné de 256 Mo de DDR2 Samsung et de seulement 4 puces Flash Samsung de 32 Go pièce. Bien entendu il n'est pas possible d'atteindre une telle capacité sur un seul die et chaque puce en combine en fait 4. Cette mémoire est gravée en 27nm et utilise un bus de type Toggle mode.


Le 840 Pro intègre un contrôleur Samsung S4LN021X01, toujours 256 Mo de mémoire et 4 puces de Flash Samsung combinant chacune 4 die 21nm MLC.


Le 840 reprend une configuration similaire au 840 Pro si ce n'est la mémoire qui est désormais de type 21nm TLC.


Sur le 840 EVO le contrôleur est un S4LN045X01, une évolution un peu plus véloce fonctionnant à 400 MHz au lieu de 300 MHz. On retrouve là encore 256 Mo de mémoire et 2 puces de Flash combinant chacune 4 die de 16 Go de TLC 19nm.